[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910126754.0 | 申请日： | 2009-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN101499621A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 广山良治;井上大二朗;别所靖之;畑雅幸 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：基板；和在基板的表面上形成的、具有在与表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，光波导在与表面平行且与第一方向交叉的第二方向上，形成于从半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与光波导的上述一侧相反的一侧，与光波导分开并与第一方向平行地延伸，该第一凹部在光波导的端面的延长线上，与光波导分开并与第一区域交叉，并且在第二方向上延伸，第一区域中的半导体层的厚度小于第一区域以外的区域中的半导体层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体激光元件，其特征在于，包括：基板；和在所述基板的表面上形成的、具有在与所述表面平行的第一方向上延伸的光波导的半导体层，所述光波导与所述表面平行且在与所述第一方向交叉的第二方向上，形成于从所述半导体激光元件的中央部偏向一侧的区域中，在所述半导体激光元件的上表面上形成有第一区域和第一凹部，该第一区域位于与所述光波导的所述一侧相反的一侧，与所述光波导分开并与所述第一方向平行地延伸，该第一凹部在所述光波导的端面的延长线上，与所述光波导分开并与所述第一区域交叉，并且在所述第二方向上延伸，所述第一区域中的所述半导体层的厚度小于所述第一区域以外的区域中的所述半导体层的厚度。
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