[发明专利]氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200910126852.4 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101540475A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 持田笃范;长谷川义晃 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明实现氮化物半导体发光元件在高功率运行时的长期稳定运行。氮化物半导体发光元件具备氮化物半导体的多层膜。氮化物半导体的多层膜设置在基板上，由氮化物半导体结晶构成，含有发光层。在该氮化物半导体的多层膜上形成共振器的端面，在该端面的至少一个上设有由氮化铝结晶构成的保护膜。保护膜具有结晶轴与构成设有保护膜的共振面的端面的氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其具备设置于基板上的氮化物半导体的多层膜，其特征在于，所述氮化物半导体的多层膜具有发光层及共振器的端面，且由氮化物半导体结晶构成，在所述共振器的所述端面的至少1个端面上设有由氮化铝结晶构成的保护膜，所述保护膜具有结晶轴与构成设有所述保护膜的所述共振器的所述端面的所述氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。
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