[发明专利]MOS集成电路、以及具备其的电子设备无效
| 申请号： | 200910126853.9 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101546996A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 青池昌洋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS集成电路以及具备其的电子设备，能降低比较器高速工作时的消耗功率。电压电流转换电路(103)将第1以及第2电压(Vinp、Vinn)转换成具有与第1电压(Vinp)对应的电流值的第1电流(I(Vinp))、以及具有与第2电压(Vinn)对应的电流值的第2电流(I(Vinn))。电流比较电路(104)比较第1以及第2电流(I(Vinp)、I(Vinn))的电流值的大小，输出表示比较结果的电压。构成电流比较电路(104)的MOS晶体管的氧化膜比构成电压电流转换电路(103)的MOS晶体管的氧化膜薄。 | ||
| 搜索关键词： | mos 集成电路 以及 具备 电子设备 | ||
【主权项】：
1、一种MOS集成电路，比较第1以及第2电压的大小，其特征在于，具备：电压电流转换电路，将所述第1以及第2电压转换成具有与所述第1电压对应的电流值的第1电流、以及具有与所述第2电压对应的电流值的第2电流；和电流比较电路，比较所述第1以及第2电流的电流值的大小，输出表示比较结果的电压，从包含该MOS集成电路的LSI的外部输入所述第1以及第2电压，构成所述电流比较电路的MOS晶体管的氧化膜比构成所述电压电流转换电路的MOS晶体管的氧化膜薄。
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