[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 200910127043.5 | 申请日: | 2009-03-13 |
公开(公告)号: | CN101615566A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 高柳康治;吉原孝介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种从涂敷喷嘴(17)向被旋转卡盘(16)旋转的晶片(W)表面供给抗蚀剂液并使其扩展而形成抗蚀剂膜的基板处理装置,其包括:具有包围由旋转卡盘保持的晶片外侧的外侧壁部(62a)的外罩(62)、位于晶片外周部下方的内罩(63)、被固定在外罩的外侧壁部的内周面上,同时,位于与晶片的外周边缘之间保持间隙(65)的位置,并且连通外罩上部与内罩外侧的多个通气孔(66)的中间罩(64)、开闭中间罩的通气孔的开闭部件(67)、以及开闭移动开闭部件的升降气缸(68)。当供给抗蚀剂时,利用开闭部件封闭通气孔,阻断气流经过通气孔,当形成抗蚀剂膜时,开放通气孔,容许气流经过通气孔。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,向旋转的被处理基板的表面供给处理液,使处理液扩展而形成处理膜,其特征在于,包括:以水平姿势保持被处理基板的保持单元;使被处理基板在水平面内旋转的旋转机构;向被处理基板的表面供给处理液的处理液供给喷嘴;以及收纳所述保持单元并且在底部与排气装置连接的处理罩,所述处理罩具有:外罩,其具有包围由所述保持单元保持的所述被处理基板的外侧的外侧壁部;内罩,其具有位于被处理基板的外周部下方的内侧壁部;中间罩,其外周部固定在所述外罩的外侧壁部的内周面,且内周部位于与被处理基板的外周边缘保持有间隙的位置,并且具有连通所述外罩的上部与所述内罩的外侧的多个通气孔;开闭部件,其开闭所述中间罩的通气孔;以及开闭移动机构,其开闭移动所述开闭部件,在对被处理基板供给处理液时,利用所述开闭部件封闭所述通气孔,阻断气流通过所述通气孔,在处理液供给后的处理膜形成时,打开所述通气孔,容许气流通过所述通气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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