[发明专利]非易失性磁存储装置有效
| 申请号： | 200910127201.7 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101527166A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 山岸肇;市川章二;木下隆;细见政功;庄子光治 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/16;H01F10/32;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 褚海英;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：具有记录层的分层结构；与所述分层结构的下部电连接的第一布线；与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及包围所述分层结构的层间绝缘层。该磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域。所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴。当形成记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值或负值时，低杨氏模量区域分别位于记录层的易磁化轴的延伸区域或难磁化轴的延伸区域中。本发明通过恰当地选择形成记录层的材料，例如可以降低自旋注入磁化反转的临界电流Ic，可以实现非易失性磁存储装置的低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性磁 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性磁存储装置，其包括磁阻效应元件，该磁阻效应元件包括：(A)具有记录层的分层结构，(B)与所述分层结构的下部电连接的第一布线，(C)与所述分层结构的上部电连接的第二布线，以及(D)包围所述分层结构的层间绝缘层，其中，所述磁阻效应元件还包括杨氏模量小于形成所述层间绝缘层的材料的杨氏模量的低杨氏模量区域，所述记录层具有易磁化轴和与该易磁化轴正交的难磁化轴，当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为正值时，所述低杨氏模量区域设置于所述记录层的易磁化轴的延伸区域中，而当形成所述记录层的材料的磁致伸缩常数λ为负值时，所述低杨氏模量区域设置于所述记录层的难磁化轴的延伸区域中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910127201.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：以远端控制功能控制多台远端周边装置的服务器
- 下一篇：液晶显示装置
