[发明专利]电阻式存储器器件和形成电阻式存储器器件的方法无效
| 申请号： | 200910127435.1 | 申请日： | 2009-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN101533892A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 柳庚昶;郑弘植;郑基泰;金亨俊;林东源 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种电阻式存储器器件，包括：衬底上的电阻式存储器元件；覆盖所述电阻式存储器元件的侧表面的第一绝缘层；所述电阻式存储器元件上的导线；以及覆盖所述导线的侧表面的第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在从下述组中选择出的至少一个方面有所不同，所述组包括：硬度、应力、介电常数、导热率和孔隙度。
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