[发明专利]一种晶体管及包括其的显示面板无效
申请号: | 200910127789.6 | 申请日: | 2009-03-23 |
公开(公告)号: | CN101847660A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 曹俊杰;游秉丰 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12;H01L23/52;G02F1/1362 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹市新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种晶体管及包含其的显示面板,涉及半导体器件领域。本发明的晶体管可以降低碱金属离子扩散进半导体区块的机会,其包括:基板;设置在所述基板上的第一金属电极;覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层;对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块;设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极;围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙,所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极;所述第一金属挡墙具有缺口,所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体管 包括 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种晶体管,其特征在于包括:基板;设置在所述基板上的第一金属电极;覆盖所述第一金属电极的第一阻抗层;对应所述第一金属电极设置在所述阻抗层上的半导体区块;设置在所述半导体区块上的第二金属电极和第三金属电极;围绕所述半导体区块边缘设置的第一金属挡墙,所述第一金属挡墙穿过所述第一阻抗层连接所述第一金属电极;所述第一金属挡墙具有缺口,所述第二金属电极和所述第三金属电极自所述缺口位置延伸出所述半导体区块。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910127789.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:相变化内存组件及其制造方法
- 下一篇:电激发光显示面板
- 同类专利
- 专利分类