[发明专利]PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件无效
| 申请号： | 200910127931.7 | 申请日： | 2009-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN101847634A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 黄志丰 | 申请（专利权）人： | 立锜科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 陈肖梅;谢丽娜 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，包含：一个PMOS晶体管，其包括栅极、源极、漏极与源漏极间的信道区，该源极、漏极及信道区位于一基体内，且在该漏极与该信道区间形成寄生二极管；以及一个与该寄生二极管反向串联的肖特基二极管，该肖特基二极管位于该基体内，其一端与该寄生二极管连接，另一端与该源极连接。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 肖特基 二极管 整合 元件 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管与肖特基二极管的整合元件，其特征在于，包含：一个PMOS晶体管，其包括栅极、源极、漏极与源漏极间的信道区，该源极、漏极及信道区位于一基体内，且在该漏极与该信道区间形成寄生二极管；以及一个与该寄生二极管反向串联的肖特基二极管，该肖特基二极管位于该基体内，其一端与该寄生二极管连接，另一端与该源极连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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