[发明专利]薄膜晶体管及显示装置有效
| 申请号： | 200910128138.9 | 申请日： | 2009-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101540342A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;黑川义元;乡户宏充;宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明要求保护一种薄膜晶体管及显示装置，其课题之一在于解决涉及薄膜晶体管的导通电流及截止电流的问题。另一课题在于提供一种能够高速工作的薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于栅极绝缘层上的微晶半导体层；重叠于微晶半导体层及栅极绝缘层的非晶半导体层；以及添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层设置于非晶半导体层上，并且形成源区或漏区，其中，栅极绝缘层在与微晶半导体层的端部接触的附近具有高低差，并且所述微晶半导体层外侧的栅极绝缘层的第二厚度比接触所述微晶半导体层的栅极绝缘层的第一厚度要薄。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：覆盖栅电极的栅极绝缘层；设置于所述栅极绝缘层上的第一微晶半导体层及第二微晶半导体层，该第一微晶半导体层及第二微晶半导体层双方都包含成为施主的杂质元素；设置于所述第一微晶半导体层、所述第二微晶半导体层以及所述栅极绝缘层上的第三微晶半导体层，该第三微晶半导体层在所述第一微晶半导体层和所述第二微晶半导体层之间与所述栅极绝缘层接触；设置于所述第三微晶半导体层上的非晶半导体层；以及设置于所述非晶半导体层上的源区及漏区，其中，所述栅极绝缘层在所述第一微晶半导体层和所述第二微晶半导体层之间的第一部分中具有第一厚度，并在接触所述第一微晶半导体层或所述第二微晶半导体层的第二部分中具有第二厚度，并且，所述第一厚度小于所述第二厚度。
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