[发明专利]薄膜晶体管基板及具有薄膜晶体管基板的显示装置有效

专利信息
申请号: 200910128588.8 申请日: 2009-03-17
公开(公告)号: CN101540333A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 罗惠锡;李元熙;权镐均;罗炳善;安顺一;权知炫 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/528;H01L29/786;H01L29/417;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管基板以及具有该TFT基板的显示装置。在TFT基板和具有该TFT基板的显示装置中,第一和第二晶体管的分别连接到第一和第二像素电极的第一和第二漏极电极垂直地弯曲多次。第一源极电极和第二源极电极每个与第一漏极电极或者第二漏极电极之间的距离保持在最小的线间间隙,以增加数据线与第一漏极电极和第二漏极电极每个之间的距离,并且最小化第一漏极电极和第二漏极电极每个的邻近数据线的区域的长度。因此,数据线与第一漏极电极和第二漏极电极每个之间的耦合电容可以被减小,并且每个单元像素区域可以具有预定范围内的一致的寄生电容。另外,进行反转驱动的显示装置的亮度偏差可以被减小。
搜索关键词: 薄膜晶体管 具有 显示装置
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管基板,包括:多个栅极线和与所述栅极线交叉的多个第一数据线和第二数据线;多个第一像素电极和第二像素电极,分别设置在由所述栅极线与所述第一数据线和所述第二数据线定义的多个单元像素区域中;第一薄膜晶体管,设置在单元像素区域中,并且包括连接到栅极线的第一栅极端、连接到第一数据线的第一源极电极和连接到第一像素电极和第二像素电极中的任一个的第一漏极电极;以及第二薄膜晶体管,设置在所述单元像素区域中,并且包括连接到所述栅极线的第二栅极端、连接到第二数据线的第二源极电极以及连接到所述第一像素电极和所述第二像素电极中的另一个的第二漏极电极,其中所述第一漏极电极和所述第二漏极电极设置为保持所述第一漏极电极和所述第一数据线之间的第一耦合电容与所述第二漏极电极和所述第二数据线之间的第二耦合电容的差值在所述第一耦合电容和所述第二耦合电容的最大值的50%或者更小的范围内。
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