[发明专利]具有单端读出放大器的半导体器件无效
| 申请号： | 200910128944.6 | 申请日： | 2009-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN101540190A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 梶谷一彦;吉田宗一郎 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/08 | 分类号： | G11C7/08;G11C7/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有单端读出放大器的半导体器件。补偿了制造工艺、电源电压、接合点温度和造成变化的其它因素，并防止了读出放大器的操作裕度减小。具有分级位线结构的半导体存储器件中的单端读出放大器包括：第一MOS晶体管，其用于放大从存储单元输出到位线的信号；第二MOS晶体管，其用于将第一MOS晶体管的输出供给到全局位线；以及全局位线电压确定电路；并且通过包括第一MOS晶体管的复制品和全局位线电压确定电路的复制品的延迟电路的输出信号，来控制至少第二MOS晶体管的导通/截止时序或者包括全局位线电压确定电路的全局读出放大器的读取时序。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 读出 放大器 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：单端读出放大器，所述单端读出放大器至少包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和全局位线电压确定电路，其中，所述第一场效应晶体管用于放大从存储单元提供到位线的信号，所述第二场效应晶体管用于将所述第一场效应晶体管的输出信号提供到全局位线；以及控制电路，所述控制电路用于基于延迟电路的输出信号，来至少控制所述第二场效应晶体管从导电状态到非导电状态的转变的时序、或者全局读出放大器的读取时序，所述全局放大器包括所述全局位线电压确定电路，所述延迟电路包括所述第一场效应晶体管的复制品和所述全局位线电压确定电路的复制品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尔必达存储器株式会社，未经尔必达存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910128944.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：吸收性物品以及复合片
- 下一篇：分配功率管理
