[发明专利]硅纳米晶体光电池及其在薄膜晶体管面板内的应用有效
| 申请号： | 200910129119.8 | 申请日： | 2009-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101515608A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;赵志伟;彭佳添;林昆志 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/028;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/20;H01L21/268;H01L21/324;G02F1/133;G02F1/1333;G09G3/36;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的领域关于一光电池。在一个实施例内，该光电池包含一第一导电层、一形成于第一导电层上的N型掺杂半导体层、一形成于该N型掺杂半导体层上的第一硅层、一形成于一第一硅层上的纳米结晶硅(nc-Si)层、一形成于该纳米结晶硅层上的第二硅层、一形成于第二硅层上的P型掺杂半导体层以及一形成于该P型掺杂半导体层上的第二导电层。第一硅层与第二硅层两者其中之一者是由非结晶硅所形成，另一者是由多晶硅所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体 光电池 及其 薄膜晶体管 面板 应用 | ||
【主权项】：
1.一种光电池，其特征在于，包含：(a)一第一导电层；(b)一N型掺杂半导体层形成于该第一导电层上；(c)一第一硅层形成于该N型掺杂半导体层上；(d)一纳米结晶硅层形成于该第一硅层上；(e)一第二硅层形成于该纳米结晶硅层上；(f)一P型掺杂半导体层形成于该第二硅层上；以及(g)一第二导电层形成于该P型掺杂半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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