[发明专利]半导体处理用的反应管和热处理装置有效
| 申请号： | 200910129251.9 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101552185A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 金子裕史;井上久司;潮永圭史;菱屋晋吾;远藤笃史 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/324;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体处理用的反应管和热处理装置。隔开间隔以层叠状态收纳多个被处理体并在减压条件下对上述被处理体实施热处理的半导体处理用的反应管通过电绝缘性且耐热性材料一体地形成。该反应管包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于上述反应管装载及卸载上述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞上述侧壁的上端并且与上述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，上述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着上述侧壁形成的环状槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 反应 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体处理用的反应管，其由电绝缘性且耐热性材料一体地形成，并隔开间隔以层叠状态收纳有多个被处理体，在减压条件下对所述被处理体实施热处理，其特征在于，包括：圆筒形的侧壁，其在下端具有用于相对于所述反应管装载及卸载所述被处理体的装载口；和圆形的顶壁，其闭塞所述侧壁的上端并且与所述侧壁的轴方向正交，内表面形成为平面状，所述顶壁在外表面侧的周边区域具有沿着所述侧壁形成的环状槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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