[发明专利]发光元件芯片、曝光装置和图像形成设备有效
申请号: | 200910129441.0 | 申请日: | 2009-03-18 |
公开(公告)号: | CN101651146A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 近藤义尚 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G03G15/04;G03G15/01;B41J2/47;B41J2/45 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 源;张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 公开了一种发光元件芯片、曝光装置以及图像形成设备。发光元件芯片包括:基片;发光部分,其包括多个发光元件,每个发光元件均具有层叠在基片上的第一导电类型的第一半导体层、层叠在第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层、层叠在第二半导体层上的第一导电类型的第三半导体层、以及层叠在第三半导体层上的第二导电类型的第四半导体层,其中第二导电类型是与第一导电类型不同的导电类型;所述发光元件芯片还包括控制器,所述控制器包括逻辑运算元件,其执行逻辑运算操作来使多个发光元件执行发光操作,逻辑运算元件是通过将第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层中某几个顺次的层进行组合来形成的。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 芯片 曝光 装置 图像 形成 设备 | ||
【主权项】:
1.一种发光元件芯片,包括:基片;发光部分,包括多个发光元件,每个发光元件均具有层叠在基片上的第一导电类型的第一半导体层,层叠在第一半导体层上的第二导电类型的第二半导体层,其中第二导电类型是与第一导电类型不同的导电类型,层叠在第二半导体层上的第一导电类型的第三半导体层,以及层叠在第三半导体层上的第二导电类型的第四半导体层;和控制器,包括逻辑运算元件,所述逻辑运算元件执行逻辑运算操作来使发光部分的多个发光元件执行发光操作,逻辑运算元件是通过将层叠在基片上的第一半导体层,层叠在第一半导体层上的第二半导体层,层叠在第二半导体层上的第三半导体层和层叠在第三半导体层上的第四半导体层中某几个顺次的层进行组合形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的