[发明专利]钕铁硼磁体晶界扩散工艺有效

专利信息
申请号: 200910129479.8 申请日: 2009-03-25
公开(公告)号: CN101845637A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 罗阳;罗惇 申请(专利权)人: 罗阳;罗惇
主分类号: C23F17/00 分类号: C23F17/00;C23C30/00;C21D1/26;C21D1/74
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 刘云贵
地址: 100193 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及烧结钕铁硼(Nd-Fe-B)磁体合金改性的加工工艺,通过对烧结钕铁硼磁体合金成分的局部改变,即将适当重量的重稀土氧化物(Dy2O3,Tb4O7)或氟化物(DyF3,TbF3)的粉末溶于浓度适当的酸溶剂内,将磁体浸泡其中适当时间后,取出烘干,磁体表面即覆盖重稀土粉末薄层,将此磁体置于氩气炉内先后进行热扩散处理,然后进行退火处理。本发明的方法既能有效提高磁体矫顽力,又显著降低所需添加的重稀土用量。
搜索关键词: 钕铁硼 磁体 扩散 工艺
【主权项】:
一种提高钕铁硼磁体矫顽力的处理方法,其包括:步骤A,将一定粒度的重稀土氧化物粉末和/或重稀土氟化物粉末,溶于在磁体表面附着力强且对磁体性能无负影响的无机溶剂内;步骤B,将磁体置于上述重稀土粉末溶剂内浸泡适当时间,磁体取出后立刻用热风使之干燥;步骤C,表面涂敷了重稀土粉末的磁体在惰性气中进行热处理;步骤D,最后进行退火处理。
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