[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910129860.4 申请日: 2006-11-13
公开(公告)号: CN101577256A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 秋元健吾 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28;G02F1/1362
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦 晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件及其制造方法,即使使用ZnO半导体膜,并且对于源电极和漏电极使用其中添加n型或p型杂质的ZnO膜也不会产生缺陷或故障。该半导体器件包含:通过使用氧化硅膜或氧氮化硅膜在栅电极之上形成的栅绝缘膜、在栅绝缘膜之上的Al膜或Al合金膜、在Al膜或Al合金膜之上的其中添加n型或p型杂质的ZnO膜、以及在其中添加n型或p型杂质的ZnO膜和栅绝缘膜之上的ZnO半导体膜。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造液晶显示器的方法,包括:在第一衬底上形成有源矩阵部分;其中,该有源矩阵部分包括至少一个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括作为沟道形成区域的含有氧化锌的半导体膜;在所述有源矩阵部分周围形成密封剂的闭合图案;将液晶组合物滴在所述闭合图案中;以及在滴液晶组合物之后将第一衬底和第二衬底相互附接。
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