[发明专利]一种利用薄膜电晶体作为非易失性存储器的方法及其装置有效
| 申请号： | 200910130080.1 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101866690A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;简富彦;陈德智 | 申请（专利权）人： | 宏碁股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/14;H01L29/786;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 许志勇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用薄膜电晶体(TFT)基底储存电荷作为非易失性存储器的方法及其装置，其是利用薄膜电晶体(TFT)的电性操作方法，运用一般的薄膜电晶体(TFT)作为非易失性存储器的存储单元，以利于与一般薄膜电晶体(TFT)元件所构成的如逻辑电路或TFT-LCD图素电晶体等装置整合于面板上，而无需增加额外的制程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 薄膜 电晶体 作为 非易失性存储器 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
一种电荷储存于薄膜电晶体基底的方法，其特征在于，一薄膜电晶体具有中间为一基底以及两端分别为一漏极、一源极的一半导体层，设置于具有一绝缘表面的一基板上，一栅极绝缘层设置于该半导体层上，以及一栅极设置于该栅极绝缘层上，该电荷储存于薄膜电晶体基底的方法包含：一写入动作，其包括在该薄膜电晶体的漏极施加一第一漏极电压，在该薄膜电晶体的栅极施加一栅极电压，以及将该薄膜电晶体的源极接地，其中，当该栅极电压与该第一漏极电压所产生的焦尔热，足以造成自我加热效应，该薄膜电晶体中的多数载流子注入该薄膜电晶体中的基底，并造成该薄膜电晶体起始电压改变，完成写入动作；以及一擦除动作，其包括在该薄膜电晶体的漏极施加一第二漏极电压，在该薄膜电晶体的源极施加一源极电压，以及将该薄膜电晶体的栅极接地，其中，当该第二漏极电压与该源极电压之间的电压差，足以让该基底中的多数载流子克服该基底中晶界所造的能障时，两者间偏压使该存储器的该半导体层中的多数载流子在基底中移除。
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