[发明专利]集成电路结构的制造方法

摘要

本发明是有关于一种集成电路结构的制造方法，其利用二次切割来消除多晶硅单向线端短缩，该方法包含：提供基材，包含第一有源区与第二有源区；形成栅极电极层于基材上；及蚀刻栅极电极层。栅极电极层的剩余部分包含第一栅极带与第二栅极带实质平行于彼此；以及牺牲带未平行于但交互连接第一栅极带与第二栅极带。牺牲带介于第一有源区与第二有源区之间。该方法更包含形成掩模层覆盖部分的第一栅极带与第二栅极带，其中牺牲带、以及部分的第一栅极带与第二栅极带为掩模层中的开口所暴露出；以及蚀刻开口所暴露出的牺牲带以及第一栅极带与第二栅极带的部分。

主权项

一种集成电路结构的制造方法，其特征在于其包含以下步骤：提供一基材，包含一第一有源区与一第二有源区，该第二有源区邻近于该第一有源区；形成一栅极电极层于该基材上；蚀刻该栅极电极层，其中该栅极电极层的多个剩余部分包含：一第一栅极带；一第二栅极带，其平行于该第一栅极带，其中该第一栅极带的一第一纵向平行但未对齐于该第二栅极带的一第二纵向；以及一牺牲带，具有一纵向，该纵向未平行于该第一纵向与该第二纵向，其中该牺牲带介于该第一有源区与该第二有源区之间，且其中该牺牲带交互连接该第一栅极带与该第二栅极带；形成一掩模层覆盖该第一栅极带与该第二栅极带的多个部分，其中该牺牲带、以及与该牺牲带连接的该第一栅极带与该第二栅极带的多个连接部分为该掩模层中的一开口所暴露出；以及蚀刻该开口所暴露出的该牺牲带以及该第一栅极带与该第二栅极带的该些连接部分。