[发明专利]一种多通道并行纠错的闪存控制方法和装置有效
| 申请号： | 200910130461.X | 申请日： | 2009-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN101527171A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张琴 | 申请（专利权）人： | 成都市华为赛门铁克科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 樊一槿 |
| 地址： | 611731四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种多通道并行纠错的闪存控制方法，所述方法包括：对写入多个通道内的闪存芯片的写入数据分别进行编码，分别生成对应所述多个通道的校验位；根据所述校验位分别对所述多个通道内的闪存芯片的读出数据是否发生错误进行判断；如果任意一个通道内的闪存芯片的读出数据发生错误，则对发生错误的读出数据进行恢复后传输。通过本发明实施例的针对多通道闪存操作模式进行的纠错码电路设计和闪存控制方法，对多个通道并行纠错，除了每个通道必要的数据缓存不会消耗额外的存储资源，在不影响系统性能的前提下也不会增加太多的硬件资源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 并行 纠错 闪存 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种多通道并行纠错的闪存控制方法，其特征在于，所述方法包括：对写入多个通道内的闪存芯片的写入数据分别进行编码，分别生成对应所述多个通道的校验位；根据所述校验位分别对所述多个通道内的闪存芯片的读出数据是否发生错误进行判断；如果任意一个通道内的闪存芯片的读出数据发生错误，则在对发生错误的读出数据进行恢复后传输。
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