[发明专利]金属氧化物半导体晶体管结构有效
| 申请号： | 200910131089.4 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101771078A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李名镇;郑道;杨明宗 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 葛强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种金属氧化物半导体晶体管结构，包括：栅极，覆盖半导体衬底的有效区域；漏极掺杂区，为第一导电型，与所述栅极的边缘之间具有一段距离；第一轻掺杂区，为所述第一导电型，位于所述栅极与所述漏极掺杂区之间；源极掺杂区，为所述第一导电型，位于第二导电型的第一离子阱中；以及第二轻掺杂区，为所述第一导电型，位于所述栅极与所述源极掺杂区之间。本发明MOS晶体管与标准CMOS程序兼容，不需要额外成本，可用于大量隔离，降低HCI效应，改进TDDB特性，并可工作于负偏压。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体晶体管结构，其特征在于，包括：栅极，覆盖半导体衬底的有效区域；漏极掺杂区，为第一导电型并与所述栅极的边缘之间具有一段距离；第一轻掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极与所述漏极掺杂区之间；源极掺杂区，为所述第一导电型并位于第二导电型的第一离子阱中；以及第二轻掺杂区，为所述第一导电型并位于所述栅极与所述源极掺杂区之间。
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