[发明专利]一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法无效
| 申请号： | 200910131816.7 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101509122A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 孙四通;于庆先 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/40 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王宏星 |
| 地址： | 266034山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法，该方法包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、2个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口。本方法以微波辐照产生氩的等离子体，轰击铜靶；以纯铜作靶，碘蒸汽为碘源，以微波辐照产生等离子体；微波辐照使铜、碘在到达基片之前一直处于等离子状态；将微波辐照与离子轰击结合在一起，保证成膜是以离子的形式进行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碘化 半导体 微波 等离子体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法，包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、两个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口；其特征是：以微波辐照产生氩的等离子体，轰击铜靶；以纯铜作靶，碘蒸汽为碘源，以微波辐照产生等离子体；将微波辐照与离子轰击结合在一起，保证成膜是以离子的形式进行。
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