[发明专利]一种半导体电荷储存装置结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体电荷储存装置结构及其制造方法。该电荷捕捉装置包含一半导体衬底其具有一表面区域，此半导体衬底具有一第一导电型态。一电荷捕捉材料覆盖于该半导体衬底的该表面区域之上且与其连接，该电荷捕捉材料具有一第一介电常数及一第一电荷捕捉能力，该第一介电常数是高于氧化硅的介电常数。一介电材料覆盖于该电荷捕捉材料之上且与其连接，该介电材料是由转换该电荷捕捉材料的一部分所形成，以提供一第二电荷捕捉能力。该装置也包含一导电材料覆盖于该介电材料之上，该导电材料可以用来接收导致电荷被捕捉于该电荷捕捉装置内的一电子信号。

主权项

1、一种电荷捕捉装置，其特征在于，包含：一半导体衬底，其具有一表面区域；一电荷捕捉材料覆盖于该半导体衬底的该表面区域之上，该电荷捕捉材料具有一高于氧化硅的介电常数的第一介电常数，且该电荷捕捉材料具有一第一电荷捕捉能力；一介电材料，由转换该电荷捕捉材料的一部分所形成，该电荷捕捉材料及该介电材料构成一复合介电层，该复合介电层具有一第二电荷捕捉能力，且该第二电荷捕捉能力高于该第一电荷捕捉能力；以及一导电材料覆盖于该复合介电层之上。