[发明专利]连续生产铜铟镓硫软体薄膜式太阳能电池组件的方法

摘要

一种连续生产铜铟镓硫软体薄膜式太阳能电池组件的方法：它是由软体带状卷材金属或塑胶基材箔1、真空连续隧道室第一，至第七段3、6、9、11、19、21、25和往复式硫化炉14等组成，其特征是；将软体的带状基材箔1，始端连续均速送入真空连续隧道式磁控溅镀室3、6、9、11，溅镀铜铟镓膜后送入往复式硫化炉14进行硫化成铜铟镓硫膜，再进入硫化锌磁控溅射真空室19溅镀硫化锌膜，再溅镀上电极二氧化锡透明导电膜，激光刻蚀划线敷电极后溅镀减反射膜，封装保护膜即制备成卷材铜铟镓硫软体薄膜式太阳能电池组件。其优点：连续大规模生产，质量稳定。

主权项

连续生产铜铟镓硫软体簿膜式太阳能电池组件的方法：它是由软体带状卷材金属或塑胶基材箔(1)、真空连续隧道室第一，至第七段(6)、(9)、(11)、(19)、(21)、(25)和往复式硫化炉(14)等组成，其特征是；将软体的带状卷材金属或塑胶基材箔(1)，始端开始连续均速送入真空连续隧道室第一段“杂物清理段”(3)，并通过加热器(4)，将基材带箔(1)，加热到200-300℃：利用等离子或辉光放电发生器(5)，发生的等离子或辉光放电轰击基材带箔(1)，进行表面杂物清理处理后，用真空隔离窄缝伐(13-1)隔离：清理后的基材带箔(上1)，以均速行走进入真空连续隧道室第二段“绝缘层磁控溅射真空室”(6)，采用二氧化硅或二氧化钛合金靶材(7)，用磁控溅射法在基材带箔(1)上表面，溅镀二氧化硅或二氧化钛绝缘膜，再用真空隔离窄缝伐(13-2)隔离，基材带箔(1)继续以均速行走进入真空连续隧道室第三段“背电极磁控溅射真空室”(9)，沿基材带箔(1)行走方向即在背电极磁控溅射室(9)纵向，基材带箔(1)表面，设定距离高度，平行设置多个两端头张紧的镀膜遮挡线(8)，用于在溅镀背电极膜时，遮挡背电极铜钼合金膜，不再溅镀在基材带箔1的绝缘层表面，替代原激光刻蚀划线：采用铜钼合金靶材(10)，应用磁控溅射法，溅镀铜钼合金背电极膜，溅镀并遮挡成线后的铜钼合金背电极基材带箔(1)，通过真空隔离窄缝伐(13-3，)隔离，续以均速行走进入真空连续隧道室第四段“铜铟镓磁控溅射真空室(11)”，为防止氧化在抽真空前先通入氢气和氩气：采用铜铟镓合金靶材(12)，应用磁控溅射法，溅镀铜铟镓合金膜。温度200-250℃，溅镀铜铟镓合金膜的基材带箔(1)，通过真空隔离窄缝伐(13-4)隔离，继续均速行走进入往复式硫化结晶炉(14)，进行硫化结晶：硫化介质为H2S气体或者S粉的低温炉中进行硫化处理，利用氩气作载气，硫蒸气由硫蒸汽发生器(15)产生，硫化温度为350--450℃。溅镀铜铟镓合金膜的基材带箔(1)，在硫化结晶炉(14)内往复行走时间25-32分钟后，通过真空隔离窄缝伐(13-5)隔离，连续均速进入往复式冷却室(17)：将硫化结晶后的高温铜铟镓硫基材带箔(1)通过散热器(18)，冷却到200-250℃，即完成了P型半导体簿膜的制备：通过真空隔离窄缝伐(13-6)，再送入真空连续隧道室第五段“硫化锌磁控溅射真空室(19)，采用硫化锌合金靶材(20)，使用磁控溅射法在铜铟镓硫P型半导体基材带箔上表面溅镀硫化锌n型半导体膜：此段已形成了P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔：溅镀后的P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔，通过真空隔离窄缝伐(13-7)，再送入真空连续隧道室第六段“上电极透明导电层ICO膜磁控溅射真空室”(21)，采用二氧化锡合金靶材(22)，使用磁控溅射法，在P-n结铜铟镓硫半导体膜层基材带箔表面上，溅镀二氧化锡，上电极透明导电ICO膜：溅镀透明导电ICO膜后的基材带箔(1)，通过真空隔离窄缝伐(13-8)隔离，再连续均速进入激光刻蚀机(23)，应用激光束蚀划电极(24)，刻蚀电极后，通过真空隔离窄缝伐(13-9)，再送入真空连续隧道室第七段“透明氟化镁减反射膜磁控溅射真空室”(25)：采用氟化镁合金靶材(26)，使用磁控溅射法在溅镀过透明导电ICO膜的基材带箔表面上，溅镀透明氟化镁减反射膜。使用真空隔离窄缝伐(13-10)隔离封闭真空室，继而进入真空封装室(27)，封装透明保护膜(28)后，再进入冷却室(29)，冷却到50℃以下的成品铜铟镓硫太阳能电池组件带箔(30)，通过卷绕机卷绕成卷(31)后，根据用户功率的需要再剪切成各种单元功率的铜铟镓硫太阳能电池组件。