[发明专利]分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法有效
| 申请号： | 200910132813.5 | 申请日： | 2009-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101621025A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 余振华;邱文智;陈鼎元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/306;H01L21/268;H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，该方法包括下列步骤：于欲分离的相邻裸片间形成蚀刻图案，可使用各种蚀刻工艺形成此蚀刻图案。蚀刻图案一般达一预定深度至晶片晶材中，显著地低于晶片上表层，而上表层嵌入先制成的半导体裸片。将蚀刻后、大尺寸、易碎的晶片经由晶片研磨、机械切割和激光切割方法切割成半导体裸片。本发明能降低对晶片切割相关的元件伤害，且改善产品合格率降低问题。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 晶片 基材 表层 半导体 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分离晶片基材上表层的多个半导体元件裸片方法，包括下列步骤：形成一光刻图案于该上表层，暴露一介于欲分离的相邻裸片间的区域；于该晶片基材中蚀刻该暴露区域至一深度，使其大体上低于该基材上表层；以及薄化该晶片基材的背表面，直到暴露该晶片基材中的蚀刻图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
