[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明名称为半导体装置及半导体装置的制造方法。中间夹着绝缘层贴合具有脆弱层的单晶半导体衬底和基础衬底，通过热处理以脆弱层为界线分离单晶半导体衬底，并在基础衬底上固定单晶半导体层，对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层处于部分熔化状态来进行再单晶化，而修复结晶缺陷。并且，使用光掩模对成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行沟道掺杂，接着使用该光掩模对该成为n型晶体管的岛状单晶半导体层进行回蚀刻，来将其减薄到薄于成为p型晶体管的岛状单晶半导体层的厚度。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在单晶半导体衬底中形成脆弱区域；将所述单晶半导体衬底贴合并固定到衬底；通过加热所述单晶半导体衬底在所述脆弱区域中产生裂缝，以从所述单晶半导体衬底的一部分进行分离而形成半导体层，其中所述半导体层贴合到所述衬底；对所述半导体层照射激光束而将所述半导体层再晶化；从所述半导体层形成第一岛状半导体层和第二岛状半导体层，其中所述第一岛状半导体层的厚度薄于所述第二岛状半导体层的厚度；将赋予n型导电型的杂质元素添加到所述第一岛状半导体层的一部分中而形成源区域和漏区域；以及将赋予p型导电型的杂质元素添加到所述第二岛状半导体层的一部分中而形成源区域和漏区域。