[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在硅基板(1)的上表面的除去周边部以外的区域上，设有由低介电常数膜(4)和布线(5)的层叠构造构成的低介电常数膜布线层叠构造部(3)。通过密封膜(15)覆盖低介电常数膜布线层叠构造部(3)的周侧面。由此，成为低介电常数膜(4)不易剥离的构造。这时，在硅基板(1)的下表面，为了保护该下表面不发生裂缝等，设有下层保护膜(18)。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板，具有一个面；低介电常数膜布线层叠构造部，设置在上述半导体基板的上述一个面上的除去周边部以外的区域，由相对介电常数为3.0以下的低介电常数膜和布线的层叠构造构成；绝缘膜，设置在上述低介电常数膜布线层叠构造部上；电极用连接焊盘部，设置为在上述绝缘膜上与上述低介电常数膜布线层叠构造部的布线连接；外部连接用凸起电极，设置在上述电极用连接焊盘部上；密封膜，设置在上述半导体基板、上述低介电常数膜布线层叠构造部和上述绝缘膜的周侧面以及上述外部连接用凸起电极的周围的上述绝缘膜上，由有机树脂构成；以及下层保护膜，至少设置在上述半导体基板的下表面，由有机树脂构成。