[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200910132972.5 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101552259A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 津田浩嗣 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L23/528 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。该半导体装置(1)具有半导体基板和在半导体基板上提供的第一电熔丝(12)和第二电熔丝(13)。第一电熔丝(12)具有在不同布线层中形成的第一上层布线(121)和第一下层布线(122)，以及用于将第一上层布线(121)连接到第一下层布线(122)的通孔(123)。第二电熔丝(13)具有在不同布线层中形成的第二上层布线(131)和第二下层布线(132)，以及用于将第二上层布线(131)连接到第二下层布线(132)的通孔(133)。半导体装置(1)具有用于将第一电熔丝(12)的上述第一上层布线(121)连接到第二电熔丝(13)的第二下层布线(132)的连接部(14)。连接部(14)串联连接第一电熔丝(12)和第二电熔丝(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：基板；以及第一电熔丝和第二电熔丝，提供在所述基板上，其中所述第一电熔丝具有：第一上层布线和第一下层布线，形成在不同的布线层中；以及通孔，用于连接所述第一上层布线和所述第一下层布线，所述第二电熔丝具有：第二上层布线和第二下层布线，形成在不同的布线层中；以及通孔，用于连接所述第二上层布线和所述第二下层布线，所述半导体装置包括用于将所述第一电熔丝的所述第一上层布线连接到所述第二电熔丝的所述第二下层布线的连接部，以及所述第一电熔丝和所述第二电熔丝经由所述连接部串联连接。
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