[发明专利]蚀刻液调合装置及蚀刻液浓度测定装置有效
申请号: | 200910133196.0 | 申请日: | 2009-04-15 |
公开(公告)号: | CN101567309A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 中川俊元;佐藤寿邦 | 申请(专利权)人: | 株式会社平间理化研究所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;C23F1/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供在半导体制造工厂或平板显示器制造工厂的使用侧,能够将铝的蚀刻液的硝酸浓度、水分浓度、磷酸浓度及醋酸浓度恒定地调合的蚀刻液调合装置。其具备:检测用纯水稀释调合槽内的蚀刻液而形成的稀释液的电导率的电导率计或检测蚀刻液的硝酸浓度的吸光光度计;检测蚀刻液的水分浓度的吸光光度计;检测蚀刻液的磷酸浓度的吸光光度计或密度计;根据检测硝酸浓度的电导率计的电导率值、检测水分浓度的吸光光度计的吸光度值和检测磷酸浓度的吸光光度计的吸光度值或密度计的密度值,利用多成分运算法运算蚀刻液的成分浓度的成分浓度运算机构;将单一酸原液、混酸原液及纯水的至少一种向调合槽中补给的补给机构。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 调合 装置 浓度 测定 | ||
【主权项】:
1.一种蚀刻液调合装置,其具备:调合铝膜用蚀刻液的调合槽;与所述调合槽连接的管路;向所述管路输送所述蚀刻液或所述蚀刻液的调合中使用的液体的泵,所述蚀刻液调合装置通过所述管路与蚀刻装置连接,其特征在于,所述蚀刻液调合装置具备:硝酸浓度检测、液体补给机构,其基于通过利用电导率计检测用纯水稀释所述调合槽内的蚀刻液而形成的稀释液的电导率而得到的所述蚀刻液的硝酸浓度、或通过利用吸光光度计检测所述蚀刻液的吸光度而得到的所述蚀刻液的硝酸浓度,向所述调合槽补给单一酸原液、混酸原液或纯水的至少一种;水分浓度检测、液体补给机构,其基于通过利用吸光光度计检测所述蚀刻液而得到的所述蚀刻液的水分浓度,向所述调合槽补给单一酸原液、混酸原液或纯水的至少一种;磷酸浓度检测、液体补给机构,其基于通过利用吸光光度计检测所述蚀刻液的吸光度而得到的所述蚀刻液的磷酸浓度或通过利用密度计检测所述蚀刻液的密度而得到的所述蚀刻液的磷酸浓度,向所述调合槽补给单一酸原液、混酸原液或纯水的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社平间理化研究所,未经株式会社平间理化研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910133196.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造