[发明专利]层状结晶性物质、电极材料的制造方法及蓄电装置无效
| 申请号： | 200910133310.X | 申请日： | 2009-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101572314A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 盐崎龙二;丸山大介;安东信雄 | 申请（专利权）人： | 富士重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/48 | 分类号： | H01M4/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种层状结晶性物质、电极材料的制造方法及蓄电装置，针对非晶状态和结晶状态共存的钒的层状结晶性物质，对非晶状态进行抑制。使用硫化锂、氢氧化锂等多种锂原料，对与钒原料形成的悬浊液的物性进行调整。通过该调整，将钒离子的5价的价数控制为所需比例。将所得到的混有层状结晶性微粒的非晶状态作为初始原料，进一步进行热处理。由此使层状结晶性微粒生长，使非晶部减少。其结果，可以改善容量劣化率。 | ||
| 搜索关键词： | 层状 结晶 物质 电极 材料 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种钒氧化物的层状结晶性物质，其用作正极活性物质，其特征在于，所述钒氧化物具有层状结晶性物质，所述层状结晶性物质具有层长小于100nm的微细晶粒。
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