[发明专利]集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统

摘要

本发明提供一种集成的HEMT和横向场效应整流器组合、方法及系统。本发明公开了基于GaN或其它类似半导体材料的集成高效率横向场效应整流器和HEMT的器件、这种集成器件的制造方法及包括这种集成器件的系统。所述横向场效应整流器具有阳极，该阳极包括短接的欧姆接触和肖特基接触；阴极，该阴极包括欧姆接触，而HEMT优选具有包括肖特基接触的栅极。二个具有氟离子的区域分别形成于所述整流器与HEMT所包括的肖特基接触的正下方以夹断两个结构中外延层之间的异质界结面的(电子气)沟道。

主权项

1.一种集成功率器件结构，包括：混合二极管，其包括并联的肖特基二极管与场控制二极管；以及异质结场效应晶体管；其中，所述混合二极管与所述晶体管集成于同一III-氮化物半导体层之上；其中，所述混合二极管与所述晶体管均包括形成图形的区域，该区域中，永久性负电荷被引入到所述同一III-氮化物半导体层中的较窄禁带部分之上的较宽禁带部分中。