[发明专利]从电源VDD到IO管脚之间的一种新型NMOS箝位及其应用方法无效
| 申请号： | 200910133598.0 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101859766A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 胡煜 | 申请（专利权）人： | 苏州芯美微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体工业中防止静电放电至集成电路(IC)的保护网络。更确切地说，它是提供从电源(VDD或VSS)线到IO管脚之间一种新型NMOS箝位静电保护器件和系统，同时IO管脚也可承受高于电源电位的电压。使用传统的NMOS使其源端接VDD漏端接输入输出管脚(HV-pad)，其p+的基底在静电的冲击下呈悬浮状态，一种耐高压的静电放电保护(HVESD)就此得以形成，该设置不仅保护了内部环路，而且不受两个节点上的电压差和上电下电所产生的后果的干扰，并且这一设置也可用于热插拔之需，这就意味着在电源开启状态下插入这样的装置，就不会介入任何明显的瞬态漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 vdd io 管脚 之间 一种 新型 nmos 箝位 及其 应用 方法 | ||
【主权项】：
在电源VDD和IO管脚之间或在两条有着相同或不同电位的电源线之间使用一种NMOS。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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