[发明专利]使用自升压对闪存器件编程的方法有效
| 申请号： | 200910133782.5 | 申请日： | 2009-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101556827A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李珉圭 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对闪存器件编程的方法控制沟道升压电平以确保器件特性。通过施加编程电压给选择的存储单元以及施加通过电压给未选择的存储单元、以增量步进脉冲编程(ISPP)的方式对闪存器件进行编程。通过改变通过电压以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距来执行所述编程。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 升压 闪存 器件 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对闪存器件编程的方法，所述方法包括：将编程电压施加给选择的存储单元；以及将通过电压施加给未选择的存储单元，其中改变所述通过电压以使得在所述未选择的存储单元的沟道电压和字线电压之间保持预定范围的差距。
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