[发明专利]薄膜晶体管的结构有效
| 申请号： | 200910133889.X | 申请日： | 2006-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101567391A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 石志鸿 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邱 军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的结构。该薄膜晶体管的结构包括一栅极，设置于一基板上；一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义为一沟道区；一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边。部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的结构，包括：一栅极，设置于一基板上；一绝缘层，设置于该基板与该栅极上；一半导体层，设置于部分的该绝缘层上，并且部分该半导体层被定义为一沟道区；一欧姆接触层，设置于该半导体层上；以及一金属层，设置于该欧姆接触层上，并被区分为一源/漏极分别位于该沟道区的两侧，且部分该源/漏极的远离该沟道区的一侧具有至少一第一斜角的侧边，其中部分该源/漏极的一侧还包括至少一第二斜角的侧边，且该第二斜角的侧边相邻于该第一斜角的侧边，部分该半导体层的一侧具有一阶梯状的侧边。
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