[发明专利]新型SRAM单元阵列结构有效
| 申请号： | 200910133932.2 | 申请日： | 2009-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN101572122A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 李政宏;吴经纬;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 | 代理人： | 梁 永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，其包括耦合到SRAM单元一列的第一和第二位线，第一和第二位线基本彼此平行并且通过第一金属层形成，以及置于第一和第二位线之间的第一导线，其跨越SRAM单元的列并且不和所述列电连接，第一导线也通过第一金属层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 sram 单元 阵列 结构 | ||
【主权项】：
1、一种静态随机存取存储器(SRAM)单元阵列结构，包括：耦合到SRAM单元的一个列的第一和第二导线，所述第一和第二导线基本彼此平行并且通过第一金属层形成；以及置于所述第一和第二导线之间的第三导线，其跨越所述SRAM单元的列并且不与该列电连接，所述第三导线也通过第一金属层形成。
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