[发明专利]多元金属硫族元素化合物和靶材及涂层材料的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910133983.5 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN101870458A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 钟润文 申请(专利权)人: 钟润文;慧濠光电科技股份有限公司
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;C01B19/04;C01G15/00;C01G3/12;C04B35/547;C23C14/06;C09D11/02
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明涉及一种多元金属硫族元素化合物和靶材及涂层材料的制备方法,所述多元金属硫族元素化合物的制备方法包括将选自构成元素的单质粉体,在常压下采用液相合成法进行合成,在合成过程中使用的有机溶剂为芳香族胺类化合物,所述芳香族胺类化合物的沸点高于240℃,且pH值为7-10,由此,可在高温下螯合反应生成铜-铟-镓-硒元素化合物,且特别是可将该化合物应用于半导体薄膜太阳能领域,可将该化合物直接涂布成膜及制成靶材溅镀成膜,无需再进行硒化过程,可减少生产程序,提高膜层组分的一致性,从而提高产品良率和产能效率。
搜索关键词: 多元 金属 元素 化合物 涂层 材料 制备 方法
【主权项】:
一种多元金属硫族元素化合物的制备方法,其特征在于,该方法包括下述步骤:(1)使用至少一个容器;(2)直接将铜元素、铟元素、镓元素中的至少一种元素与硫族元素放置在所述容器中;(3)将有机溶剂倒入所述容器中,所述有机溶剂的沸点为240℃以上,且pH值为7至10;以及将所述有机溶剂和上述元素加热到反应温度进行合成反应,得到多元金属硫族元素化合物,其中,所述反应温度为240℃以上。
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