[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910134026.4 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101853829A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 江明崇;郑璨耀;林立成;蔡泓祥 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，包括衬底、绝缘层、复合焊垫结构、保护层以及凸块。衬底上配置有电路结构。绝缘层覆盖衬底且具有暴露电路结构的第一开口。复合焊垫结构包括依序堆叠的第一导体层、阻挡层以及第二导体层，复合焊垫结构配置于绝缘层上且填满第一开口以电连接电路结构。保护层覆盖复合焊垫结构且具有暴露复合焊垫结构的第二开口。凸块填满第二开口且电连接复合焊垫结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：一衬底，其上配置有一电路结构；一第一绝缘层，配置于所述衬底上且具有一暴露所述电路结构的第一开口：一复合焊垫结构，包括依序堆叠的一第一导体层、一阻挡层以及一第二导体层，所述复合焊垫结构配置于所述第一绝缘层上且填满所述第一开口以电连接所述电路结构；一保护层，覆盖所述复合焊垫结构且具有一暴露所述复合焊垫结构的第二开口；以及一凸块，填满所述第二开口且电连接所述复合焊垫结构。
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