[发明专利]集成电路有效
| 申请号： | 200910134052.7 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101740568A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 侯永清;郭大鹏;庄学理;卡罗斯·迪雅兹;鲁立忠;田丽钧;罗明健;张志强;戴春晖;李芳松 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路。上述集成电路包括一有源区域于一半导体基板中；一第一场效应晶体管(FET)设置于该有源区域中；以及一隔离结构设置于该有源区域中。上述场效应晶体管(FET)包括一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极。上述隔离结构包括一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。本发明可以很好地保证元件的有源区域的连续性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：一有源区域于一半导体基板中；以及一第一场效应晶体管设置于该有源区域中，其中该场效应晶体管包括：一第一栅极；一第一源极形成于该有源区域中，且设置于一第一区域上，邻接该第一栅极；以及一第一漏极形成于该有源区域中，且设置于一第二区域上，邻接该栅极；以及一隔离结构设置于该有源区域中，其中该隔离结构包括：一隔离栅极设置于邻接该第一漏极；以及一隔离源极形成于该有源区域中，且设置于邻接该隔离栅极使得该隔离源极和该第一漏极位于该隔离栅极的不同边处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
