[发明专利]集成电路结构无效
| 申请号： | 200910134056.5 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101562180A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/04;H01L29/20;H01L27/092;H01L23/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种集成电路结构，包括：一半导体基板，具有一第一表面区域与一第二表面区域，其中该第一表面区域的表面晶向不同于该第二表面区域的表面晶向；一半导体元件，形成于该第一表面区域的一表面；以及一第三族氮化层，覆盖该第二表面区域，其中该第三族氮化层未延伸覆盖该第一表面区域。通过本发明将CMOS元件或二极管元件与光学元件形成于同一芯片上，因此其制造成本远低于不同芯片封装CMOS元件与光学元件的成本。且CMOS元件芯片与光学元件芯片间连接导线所产生的寄生电容及寄生电阻也会下降。此外，由于CMOS元件与光学元件均形成于具有适合表面晶向的硅基板/硅层上，因此，其元件性能也可大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：一半导体基板，具有一第一表面区域与一第二表面区域，其中该第一表面区域的表面晶向不同于该第二表面区域的表面晶向；一半导体元件，形成于该第一表面区域的一表面；以及一第三族氮化层，覆盖该第二表面区域，其中该第三族氮化层未延伸覆盖该第一表面区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910134056.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
