[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200910134319.2 | 申请日： | 2007-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN101533856A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 柯志欣;李文钦;葛崇祜;陈宏玮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：基板，包括扩散区；沟槽隔离区，邻接该扩散区，且从基板表面延伸至该基板内，其中该扩散区有延伸区延伸至该沟槽隔离区之上；MOS元件在该扩散区上；以及应力层在该MOS元件上，其中该延伸区长度与该扩散区长度的比值大于3/50。本发明能够改善各MOS元件内部的应力，从而提高元件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体结构，包括：基板，包括扩散区；沟槽隔离区，邻接该扩散区，且从基板表面延伸至该基板内，其中该扩散区有延伸区延伸至该沟槽隔离区之上；MOS元件，在该扩散区上；以及应力层，在该MOS元件上，其中该延伸区长度与该扩散区长度的比值大于3/50。
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