[发明专利]含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物有效
| 申请号： | 200910134350.6 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101550265A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 岸冈高广 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;G03F7/11;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田 欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以在半导体器件制造的光刻工艺中使用的光刻用形成下层膜的组合物、以及与光致抗蚀剂相比具有较大的干蚀刻速度的下层膜。具体来说，提供一种形成下层膜的组合物，其特征在于，含有具有酚性羟基、羧基、被保护的羧基或酸酐结构、和环氧基结构的高分子化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 氧化 羧酸 化合物 光刻 形成 下层 组合 | ||
【主权项】：
1.一种形成下层膜的组合物，其特征在于，含有具有酚性羟基、羧基、被保护的羧基或酸酐结构、和环氧基结构的高分子化合物。
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