[发明专利]高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材及其制造方法有效
| 申请号： | 200910136527.6 | 申请日： | 2009-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN101880858A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 郑惠文;侯尚杰 | 申请（专利权）人： | 光洋应用材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14;C22C1/02;C22C19/07;C22C30/00;C22C33/04;C22C38/10 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，是以熔炼铸造所制成，且由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材，其中该添加金属是一种以上选自于由钽(Ta)、锆(Zr)、铌(Nb)、铪(Hf)、铝(Al)以及铬(Cr)所组成的群组。借由钴铁比例以及添加金属含量的调配，搭配靶材熔炼铸造后适当的热处理加工达到提高靶材磁通量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 磁通量 钴铁基 合金 磁性 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高磁通量的钴铁基合金磁性溅射靶材，其特征在于是以熔炼铸造所制成，且由钴、铁以及添加金属所组成的磁性溅射靶材，其中该添加金属是一种以上选自于由钽、锆、铌、铪、铝以及铬所组成的群组，其中钴具有令磁性溅射靶材的磁通量提升的比例，且该添加金属占整体磁性溅射靶材的8～20at.％。
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