[发明专利]减小衬底中的高频信号损失有效
| 申请号： | 200910136622.6 | 申请日： | 2009-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101771037A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周淳朴;陈和祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及减小衬底中的高频信号损失。一种集成电路结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；和半导体衬底中的耗尽区。深阱区基本被耗尽区包围，其中深阱区是与第一导电类型相反的第二导电类型。耗尽区包括直接位于深阱区之上的第一部分和直接位于深阱区之下的第二部分。集成电路装置直接设置在耗尽区之上。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 衬底 中的 高频 信号 损失 | ||
【主权项】：
一种集成电路结构，包括：第一导电类型的半导体衬底；半导体衬底中的耗尽区；基本被耗尽区包围的深阱区，其中深阱区是与第一导电类型相反的第二导电类型，而耗尽区包括直接位于深阱区之上的第一部分和直接位于深阱区之下的第二部分；以及直接位于深阱区之上的集成电路装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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