[发明专利]氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法。在工序S110中向生长炉供给TMG、TMIn及NH₃，在温度T1下进行膜厚D_W1(D_W1＜D_W0)的InGaN薄膜的堆积。该薄膜厚度为1nm。在工序S111中向生长炉供给TMIn及NH₃，并且将温度从温度T1变更为T2(T1＜T2)。在工序S112中向生长炉供给TMIn及NH₃并且将温度保持为温度T2。在工序S113中向生长炉供给TMIn及NH₃并且将温度从T2变更为T1。通过工序S111～S113对堆积的InGaN薄膜改性，提高了改性后的InGaN薄膜的组成的均匀性。阱层由改性后的3层1nm的InGaN薄膜构成。

主权项

1.一种氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于，包括在氮化镓类半导体区域上形成具有第一膜厚且用于活性层的第一InGaN膜的工序，形成上述第一InGaN膜的上述工序包括以下工序：向生长炉供给第一镓原料、第一铟原料及第一氮原料，为了形成上述第一InGaN膜而在第一温度下进行比上述第一膜厚薄的InGaN的堆积；向上述生长炉供给第二铟原料及第二氮原料，并且在比上述第一温度高的第二温度下进行上述InGaN的热处理；以及在上述热处理之后，进行至少一次InGaN堆积，形成上述第一InGaN膜。