[发明专利]发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法无效
| 申请号： | 200910137124.3 | 申请日： | 2009-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN101577303A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 金维植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/075 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法。在形成LED半导体器件的方法中和在LED半导体器件中，在衬底上设置LED。在LED上设置第一密封剂材料层，该第一密封剂材料层被首先进行退火。在被首先进行退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层，第一密封剂材料层和发光转换材料层被进行第二退火。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成LED半导体器件的方法，包括：在衬底上设置LED；在所述LED上设置第一密封剂材料层；对所述第一密封剂材料层进行第一退火；在首先被退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层；以及对所述第一密封剂材料层和所述发光转换材料层进行第二退火。
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