[发明专利]光学记录介质及其制造方法以及溅射靶及其制造方法无效
| 申请号： | 200910137262.1 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101572103A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 保田宏一;高川繁树 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24;G11B7/243;G11B7/004;G11B7/26;C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光学记录介质及其制造方法、溅射靶及其制造方法，其中，该光学记录介质包括具有区分轨道区的特征的基板、设置在基板上的光学记录层以及设置在光学记录层上的透光层。光学记录层具有组分(Sb2Se3)wTexOyPdz，其中，w、x、y和z中的每个都表示摩尔百分比，并满足10(mol％)≤w≤60(mol％)、0(mol％)＜x≤60(mol％)、30(mol％)≤y≤60(mol％)、10(mol％)≤z≤30(mol％)以及w+x+y+z＝100。通过本发明，提高了光学记录层的记录灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 及其 制造 方法 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种光学记录介质，包括：(A)基板，具有区分轨道区的特征；(B)光学记录层，设置在所述基板上；以及(C)透光层，设置在所述光学记录层上，其中，所述光学记录层具有组分(Sb2Se3)wTexOyPdz，其中，w、x、y和z中的每个都表示摩尔百分比并满足10(mol％)≤w≤60(mol％)；0(mol％)＜x≤60(mol％)；30(mol％)≤y≤60(mol％)；10(mol％)≤z≤30(mol％)；以及w+x+y+z＝100。
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