[发明专利]具有外延式护环的肖特基二极管元件及其制作方法无效
| 申请号： | 200910137640.6 | 申请日： | 2009-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN101872790A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 黄志聪;黄志翔 | 申请（专利权）人： | 得诣科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种肖特基二极管元件结构，包含一硅基材；一外延硅层，设于该硅基材上；一环状沟渠，设于一切割道区域，且围绕着该外延硅层；一绝缘层，至少形成在该环状沟渠的一侧壁上；一硅化金属层，设于该外延硅层上；一导电层，设于该硅化金属层；以及一护环结构，设于该外延硅层中，并且与该绝缘层接壤。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 式护环 肖特基 二极管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有外延式护环的肖特基二极管元件结构，其特征在于，包含：一硅基材；一外延硅层，设于该硅基材上；一环状沟渠，设于一切割道区域内，且围绕着该外延硅层；一绝缘层，至少形成在该环状沟渠的一侧壁上；一硅化金属层，设于该外延硅层上；一导电层，设于该硅化金属层；以及一护环结构，设于该外延硅层中，并且与该绝缘层接壤。
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