[发明专利]太阳能电池元件结构及其制造方法无效
申请号: | 200910137863.2 | 申请日: | 2009-04-29 |
公开(公告)号: | CN101877367A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 章丰帆;林信志;林信宏;李宗龙;谢季桦 | 申请(专利权)人: | 太阳海科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 吕俊清 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种太阳能电池元件结构及其制造方法,其包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层、一高阻值膜层、一辅助电极层以及一透明导电层。该金属层形成于该基板的表面,并具有多个相互分离的p型电极单元。该p型半导体层形成于该金属层的表面。该n型半导体层形成于该p型半导体层表面,而与该p型半导体层形成p-n结。该高阻值膜层形成于该n型半导体层的表面。该辅助电极层形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元之表面。该透明导电层形成于该辅助电极层、该高阻值膜层和该多个p型电极单元之的表面。且于各该p型电极单元上形成至少一电池单元,通过该辅助电极层及该辅助电极层串联各该电池单元。该太阳能电池元件电能输出高。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池元件结构,包含:一基板;一金属层,具有多个相互分离的p型电极单元,形成于该基板的表面;一p型半导体层,形成于该金属层的表面;一n型半导体层,形成于该p型半导体层的表面;一高阻值膜层,形成该n型半导体层的表面;一辅助电极层,形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元的表面;以及一透明导电层,形成于该辅助电极层、该高阻值膜层及该多个p型电极单元的表面;其中,各该p型电极单元上形成至少一电池单元,该辅助电极层及该透明导电层串联各该电池单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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