[发明专利]太阳能电池元件结构及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910137863.2 申请日: 2009-04-29
公开(公告)号: CN101877367A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 章丰帆;林信志;林信宏;李宗龙;谢季桦 申请(专利权)人: 太阳海科技股份有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 吕俊清
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种太阳能电池元件结构及其制造方法,其包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层、一高阻值膜层、一辅助电极层以及一透明导电层。该金属层形成于该基板的表面,并具有多个相互分离的p型电极单元。该p型半导体层形成于该金属层的表面。该n型半导体层形成于该p型半导体层表面,而与该p型半导体层形成p-n结。该高阻值膜层形成于该n型半导体层的表面。该辅助电极层形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元之表面。该透明导电层形成于该辅助电极层、该高阻值膜层和该多个p型电极单元之的表面。且于各该p型电极单元上形成至少一电池单元,通过该辅助电极层及该辅助电极层串联各该电池单元。该太阳能电池元件电能输出高。
搜索关键词: 太阳能电池 元件 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种太阳能电池元件结构,包含:一基板;一金属层,具有多个相互分离的p型电极单元,形成于该基板的表面;一p型半导体层,形成于该金属层的表面;一n型半导体层,形成于该p型半导体层的表面;一高阻值膜层,形成该n型半导体层的表面;一辅助电极层,形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元的表面;以及一透明导电层,形成于该辅助电极层、该高阻值膜层及该多个p型电极单元的表面;其中,各该p型电极单元上形成至少一电池单元,该辅助电极层及该透明导电层串联各该电池单元。
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