[发明专利]实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置

摘要

本发明针对传统金刚石膜制备冷却系统在冷却过程中由于对金刚石膜生长基体的冷却不均匀而使得基体表面存在温度梯度，制备的金刚石膜存在较大的应力及组织缺陷等缺点，公开了一种实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置，以适应目前制备高质量金刚石膜球冠的需求。本发明利用去离子水作为冷却剂，通过冷却系统的冷却，为CVD、PVD等方法制备薄膜晶体、涂层等提供了新颖有效的冷却方法。尤其适用于高质量金刚石膜球冠的制备。具有制造简单、高效、成本低廉，无环境污染，绿色环保等优点。

主权项

1、一种实现金刚石膜球冠制备过程中基体均温的装置，包括铜质基座(6)，铜质基座(6)的上表面与沉积基体(1)的下表面相接触，所述的铜质基座(6)为一中空的结构，其中安装有循环水分配体(2)，循环水分配体(2)上设有进水孔(3)和出水孔(4)，在铜质基座(6)和循环水分配体(2)之间形成有冷却水腔(5)，冷却水腔(5)的与沉积基体(1)相接触的底壁或呈阶梯结构或呈球面结构，且底厚的厚度分布与沉积基体上表面温度分布成反比，即沉积基体上表面温度越高的区域，其对应处的壁厚越小，其特征是所述的冷却水腔(5)的底壁设有五个等宽的圆环状阶梯，五个圆环状阶梯的高度分别为h1＝0.0004R+1.3563，h2＝-0.0001R2+0.0046R+1.8674，h3＝-0.0051R+2.8717，h4＝-0.0027R+3.9076，h5＝0.0001R2-0.0118R+5.1713，其中R为沉积体表面曲率半径；沉积基体(1)的表面为上凸形，h1是指铜质基座底壁中心台阶的高度。