[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 200910138955.2 | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101651181A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 余振华;林宏远;邱文智;陈鼎元;余佳霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/13 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含形成于基板凹陷区的发光二极管的半导体元件。图案化及蚀刻一基板，以形成凹陷区。形成一分离层于该凹陷区底部。形成一发光二极管结构于该凹陷区侧壁，并选择性地形成于相邻凹陷区间的该基板上表面。在一实施例中，发光二极管结构的表面积大于平面型发光二极管。在一实施例中，发光二极管结构形成于凹陷区内，以使下接合层非坦覆性地形成于该凹陷区。在一实施例中，一硅基板的凹陷区致形成一具有非平面立方体结构的下接合层，例如一氮化镓层，具有较高外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件，包括：一基板，该基板为一硅基板；凹陷区，形成于该基板中；发光二极管结构，形成于该凹陷区内，该发光二极管结构延伸覆盖该凹陷区侧壁；以及一分离区，形成于该凹陷区底部。
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