[发明专利]衬底保持设备有效
申请号: | 200910139060.0 | 申请日: | 2009-05-15 |
公开(公告)号: | CN101582388A | 公开(公告)日: | 2009-11-18 |
发明(设计)人: | 金子一秋;田中洋;池田真义;涩谷阳介 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 张 涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种衬底保持设备,其包括:构造成保持衬底的衬底保持机构;加热机构;以及热传导构件,该热传导构件插入衬底保持机构和加热机构之间以与它们接触,并将由加热机构产生的热传导至衬底保持机构,其中热传导构件具有向衬底开口的凹进的截面。 | ||
搜索关键词: | 衬底 保持 设备 | ||
【主权项】:
1.一种衬底保持设备,包括:构造成保持衬底的衬底保持机构;加热机构;以及热传导构件,所述热传导构件插入所述衬底保持机构和所述加热机构之间以与所述衬底保持机构和所述加热机构接触,并将由所述加热机构产生的热传导至所述衬底保持机构,其中所述热传导构件具有向所述衬底开口的凹进的截面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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